在日前舉行的英特爾IDF2016上，英特爾宣布與ARM達(dá)成了新的授權(quán)協(xié)議，英特爾工廠未來(lái)將生產(chǎn)ARM芯片。由于英特爾與ARM在直面的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，此舉一出，立即在業(yè)內(nèi)引發(fā)了強(qiáng)烈反響。那么為何英特爾要選擇為對(duì)手代工芯片？英特爾進(jìn)入ARM陣營(yíng)的代工市場(chǎng)勝算幾何？

提及芯片代工，根據(jù)近日半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司IC Insights公布的2016年上半年全球前二十大半導(dǎo)體公司（包括集成電路、光電器件、傳感器和分立器件）銷(xiāo)售額排名，臺(tái)積電僅憑移動(dòng)芯片的代工業(yè)務(wù)今年上半年就獲得了130億美元的營(yíng)收，排名第三（排名第一、第二的英特爾和三星還有自己的芯片銷(xiāo)售業(yè)務(wù)），二季度環(huán)比增長(zhǎng)11%。而正是借助于芯片代工業(yè)務(wù)，臺(tái)積電的市值一路漲高。例如截止到2016年5月13日，臺(tái)積電股價(jià)已經(jīng)為145元臺(tái)幣，市值已經(jīng)超越3.73萬(wàn)億元臺(tái)幣，與英特爾目前4.59 萬(wàn)億元臺(tái)幣的差距大幅縮小，甚至在今年三月底時(shí)，臺(tái)積電市值一度增長(zhǎng)到4.18萬(wàn)億元臺(tái)幣。由此可見(jiàn)芯片代工（主要移動(dòng)芯片）市場(chǎng)的龐大。

相比之下，以智能手機(jī)和平板電腦為代表的移動(dòng)市場(chǎng)一直是英特爾渴望進(jìn)入的市場(chǎng)，無(wú)奈的是，由于天生架構(gòu)上（ARM與x86）的差異、合作伙伴的慣性選擇及ARM獨(dú)特的商業(yè)模式等因素，其在移動(dòng)市場(chǎng)始終難有斬獲，并為此付出了百億美元的代價(jià)。據(jù)統(tǒng)計(jì)目前英特爾芯片在移動(dòng)市場(chǎng)的整體份額僅在1%左右，這也導(dǎo)致了今年英特爾停止了某些移動(dòng)芯片的升級(jí)和更新（例如Sofia系列），而此舉被外界解讀為英特爾將退出移動(dòng)芯片市場(chǎng)的爭(zhēng)奪。雖然說(shuō)以自己的x86架構(gòu)進(jìn)軍移動(dòng)市場(chǎng)失利，面對(duì)移動(dòng)市場(chǎng)，尤其是上述移動(dòng)芯片代工市場(chǎng)的空間，英特爾依然可以憑借自己芯片制造上的優(yōu)勢(shì)“曲線”進(jìn)入或者留在移動(dòng)市場(chǎng)。

更為重要的是，由于在移動(dòng)芯片市場(chǎng)進(jìn)展不利（賠本還不賺吆喝）和傳統(tǒng)PC市場(chǎng)的持續(xù)低迷，從經(jīng)濟(jì)性考慮，英特爾已經(jīng)刻意減緩了其在芯片產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新速度。例如英特爾最新新10-K文件顯示，其將放棄之前在芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新兩步走的“鐘擺模式”（Tick-Tock），改為制程(Process)、架構(gòu)(Architecture)、優(yōu)化(Optimization)三步，這意味著代表芯片創(chuàng)新重要指標(biāo)的制程更新周期從兩年變?yōu)槿�年。而�?chuàng)新周期的延長(zhǎng)對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)將是致命的。畢竟ARM陣營(yíng)（包括ARM及以臺(tái)積電、三星為代表的代工企業(yè)）由于市場(chǎng)需求的旺盛，其創(chuàng)新速度明顯加快，而此時(shí)英特爾再刻意減緩創(chuàng)新的速度，這“一快一減”的疊加，有可能在未來(lái)真的讓英特爾失去引領(lǐng)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的地位。至此，英特爾為ARM代工芯片的價(jià)值已然清晰，除了“曲線”進(jìn)入或者留在移動(dòng)市場(chǎng)，最關(guān)鍵的是，削弱因?yàn)榻?jīng)濟(jì)性考量而導(dǎo)致的創(chuàng)新速度延緩的負(fù)面影響。那么接下來(lái)的問(wèn)題是，英特爾此時(shí)進(jìn)入ARM陣營(yíng)的代工業(yè)務(wù)有多大的勝算或者說(shuō)與一直在此領(lǐng)域最大的芯片代工企業(yè)臺(tái)積電、三星等巨頭相比是否具備優(yōu)勢(shì)？

業(yè)內(nèi)知道，制程是衡量芯片和芯片代工企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的核心指標(biāo)之一，為此，ARM陣營(yíng)主要兩大芯片代工企業(yè)臺(tái)積電和三星打得不亦樂(lè)乎。最典型的表現(xiàn)就是針對(duì)iPhone6采用A9芯片代工的臺(tái)積電16納米與三星14納米之爭(zhēng)。隨著英特爾的進(jìn)入，未來(lái)芯片代工市場(chǎng)將主要是臺(tái)積電、三星與英特爾的對(duì)決。而眾所周知的事實(shí)是英特爾目前的主流制程是14納米�？磥�(lái)英特爾與臺(tái)積電和三星應(yīng)該是旗鼓相當(dāng)。但事實(shí)似乎遠(yuǎn)沒(méi)有表面數(shù)字看起來(lái)那么簡(jiǎn)單。

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，自芯片產(chǎn)業(yè)2、3年前導(dǎo)入全新的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）時(shí)，擅長(zhǎng)營(yíng)銷(xiāo)的三星就開(kāi)始玩起了“制程數(shù)字”的游戲。例如臺(tái)積電目前主流采用FinFET的16納米工藝，原本稱為20納米FinFET。因?yàn)樵摴に嚨碾娋�體最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20納米傳統(tǒng)電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體而已。但同樣的工藝，三星已搶先命名為14納米。如果臺(tái)積電依然稱為20納米，從營(yíng)銷(xiāo)的角度肯定對(duì)自己不利。所以臺(tái)積電不久后便名為16納米。(責(zé)任編輯：方向)